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多基色LED合成照明產業時代即將來臨
來源 : 瑞和裝飾广告工程 發布日期:2017/8/2  閱讀 : 1465次
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   “LED是一種把電能直接轉化為光能的電晶體元器件。1962年,通用電氣的Holonyak發明了紅光LED,經過54年的發展,如今紅橙黃綠青藍紫七彩LED光全都實現了產業化和商品化,人工已經可以造就五彩繽紛的新視覺。”在日前召開的第十五届全國LED產業發展與技術研討會暨2016全國LED顯示應用技術交流及產業發展研討會上,南昌大學副校長江風益提出,多基色LED合成照明產業時代即將來臨。
江風益表示,正如Holonyak在4年前所說,LED尚處在嬰兒期。現有的LED照明科技方案是採用藍光+螢光粉的管道來實現的,光效和品質難以協調,流明效率較高,已經達到150lm/W,但是藍光占比過大,青光缺失,紅光不足。
江風益認為,LED照明科技還有很大的發展空間。新一代LED照明科技將採用多基色LED合成的解決方案,用紅、黃、綠、青、藍光直接合成白光,無需螢光粉。具體來看,當藍、青、綠、黃、紅光的光效分別達到70%、55%、45%、25%、55%時,即可達到顯色指數97.8、色溫3000K、光效136lm/W的令人滿意的結果。
從2015年的數據來看,可見光LED的功率效率分別為:藍光65%、綠光35%、黃光10%、紅光52%。由此可見,多基色LED合成的難點主要在於黃光效率的提升,而造成“黃光鴻溝”的難題是AlGaInN和AlGaInP的黃光光效都很低。近年來,國內外的科研力量一直在積極探索如何提高黃光的光效,南昌大學也從2015年開始用自製MOCVD設備研發黃光LED生長科技。
據江風益介紹,南昌大學的矽襯底LED科技獲得了2015年度國家科技發明獎一等獎,是除了美國碳化矽科技、日本藍寶石科技的第三條藍光LED技術路線。運用該技術路線,南昌大學通過外延工藝控制V坑結構,將位錯密度高的缺點變成優點,獲得良好的器件效能。
實際上,如果將矽襯底LED製作成傳統結構,會因矽襯底吸光和電極擋光而使LED出光效率很低。但是通過襯底轉移科技和互補電極結構,使N電極正下方沒有電流通過而迫使該區域不發光,解决了電極擋光的問題;設計了反射鏡,解决了襯底吸光問題。同時,矽襯底LED為單面出光,光線更容易管控。
江風益說,經過一系列努力,南昌大學已經實現了22.7%的黃光LED發光效率。未來5年,將繼續努力實現25%的目標。隨著“黃光鴻溝”的顯著緩解,多基色LED合成照明產業即將來臨,將在高品質照明、智慧照明和可見光通訊等方面獲得良好的發展前景。

 
 
 
 
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